GaN 200V enhanced MOSFET是方正微电子的GaN工艺平台，主要应用于汽车电子的电源管理，具有高效率、高温度工作区间和低通态电阻特性，并能够提供完整的设计服务。

1)    工艺特性

Ø  高性能硅基氮化镓技术

Ø  常态下关闭器件

Ø  栅极工作电压与硅器件相当：+/‐10V,+/‐15V等

Ø  Vgs可依照硅场效应管，高到足以避免C*dV/dt引起的打开

Ø  反向并联二极管功能包括：反向恢复损耗低于硅器件

Ø  栅极电荷低

Ø  超低的导通电阻

Ø  工作温度可达250°C

Ø  开关速度快

2)    典型应用

Ø  RF

Ø  马达

Ø  光电转换器