GaN 200V enhanced MOSFET是方正微电子的GaN工艺平台,主要应用于汽车电子的电源管理,具有高效率、高温度工作区间和低通态电阻特性,并能够提供完整的设计服务。
1) 工艺特性
Ø 高性能硅基氮化镓技术
Ø 常态下关闭器件
Ø 栅极工作电压与硅器件相当:+/‐10V,+/‐15V等
Ø Vgs可依照硅场效应管,高到足以避免C*dV/dt引起的打开
Ø 反向并联二极管功能包括:反向恢复损耗低于硅器件
Ø 栅极电荷低
Ø 超低的导通电阻
Ø 工作温度可达250°C
Ø 开关速度快
2) 典型应用
Ø RF
Ø 马达
Ø 光电转换器