IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,在各种电力变换中获得极广泛的应用,FMIC已具备该工艺产品的研发能力。
1) 工艺特性 Ø 非穿通技术 Ø 阻断电压:600~1700V Ø 驱动电流大 Ø 饱和压降低 Ø 开关速度快 2) 典型应用 Ø 电磁炉 Ø 电机驱动 Ø 电焊机 Ø 变频器
1) 工艺特性
Ø 非穿通技术
Ø 阻断电压:600~1700V
Ø 驱动电流大
Ø 饱和压降低
Ø 开关速度快
2) 典型应用
Ø 电磁炉
Ø 电机驱动
Ø 电焊机
Ø 变频器
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