IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,在各种电力变换中获得极广泛的应用，FMIC已具备该工艺产品的研发能力。

1)    工艺特性

Ø  非穿通技术

Ø  阻断电压：600～1700V

Ø  驱动电流大

Ø  饱和压降低

Ø  开关速度快

2)    典型应用

Ø  电磁炉

Ø  电机驱动

Ø  电焊机

Ø  变频器