RF LDMOS具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。FMIC拥有成熟的28V RF LDMOS工艺,频率涵盖400MHZ~2700MHZ。
1) 工艺特性 Ø 背面源技术 Ø 厚氧隔离工艺 Ø Multi-RESURF 技术 Ø 超低的栅极电阻 Ø 屏蔽环工艺 Ø 厚铝工艺 2) 典型应用 Ø RF功率放大器 Ø HF、VHF和UHF广播传输器 Ø 微波雷达与导航系统 Ø CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视
1) 工艺特性
Ø 背面源技术
Ø 厚氧隔离工艺
Ø Multi-RESURF 技术
Ø 超低的栅极电阻
Ø 屏蔽环工艺
Ø 厚铝工艺
2) 典型应用
Ø RF功率放大器
Ø HF、VHF和UHF广播传输器
Ø 微波雷达与导航系统
Ø CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视
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