RF LDMOS具有频率高、功率容量大、线形度好、效率高等突出优势。FMIC拥有成熟的28V RF LDMOS工艺，频率涵盖400MHZ~2700MHZ。

1)    工艺特性

Ø  背面源技术

Ø  厚氧隔离工艺

Ø  Multi-RESURF 技术

Ø  超低的栅极电阻

Ø  屏蔽环工艺

Ø  厚铝工艺

2)    典型应用

Ø  RF功率放大器

Ø  HF、VHF和UHF广播传输器

Ø  微波雷达与导航系统

Ø  CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视