06µm 1P2M CMOS工艺平台。0.6微米栅长, 单层多晶,双层金属. 应用于电源管理产品,工作电压5伏(24V 可选)。具有详尽的设计规则。
1) 工艺特性
Ø Ø 0.6微米CMOS,单多晶,两层金属,双阱工艺。
Ø Ø 工作电压5伏(24V 可选)。
Ø Ø 衬底材料为P型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。
Ø Ø 11块掩模版,13个光刻层。
Ø Ø 可提供N型只读掩模代码。
Ø Ø 标准的局部氧化隔离工艺。
Ø Ø 栅氧厚度为150埃,采用多晶硅栅极。
Ø Ø N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。
Ø Ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。
Ø Ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。
Ø Ø IMD平坦化工艺。
2) 典型应用
Ø Ø DC-AC 转换
Ø Ø 电源管理芯片
Ø Ø 充电器管理IC
Ø Ø LED电路驱动