06µm 1P2M CMOS工艺平台。0.6微米栅长, 单层多晶，双层金属. 应用于电源管理产品，工作电压5伏（24V 可选）。具有详尽的设计规则。

1)        工艺特性

Ø  Ø 0.6微米CMOS，单多晶，两层金属，双阱工艺。

Ø  Ø 工作电压5伏（24V 可选）。

Ø  Ø 衬底材料为P型、<100>晶向、15~25欧姆.厘米。

Ø  Ø 11块掩模版，13个光刻层。

Ø  Ø 可提供N型只读掩模代码。

Ø  Ø 标准的局部氧化隔离工艺。

Ø  Ø 栅氧厚度为150埃，采用多晶硅栅极。

Ø  Ø N/P型轻掺杂漏区和侧壁结构。

Ø  Ø 钛/氮化钛/铝硅铜/氮化钛结构的互连层。

Ø  Ø 氧化硅/氮化硅结构的钝化层。

Ø  Ø IMD平坦化工艺。

2)        典型应用

Ø  Ø DC-AC 转换

Ø  Ø 电源管理芯片

Ø  Ø 充电器管理IC

Ø  Ø LED电路驱动